新闻动态   News
搜索   Search
你的位置:主页 > 平台资讯 >

尊龙人生就是搏新一代SiC和GaN功率半导体竞赛剧烈

2018-04-17 06:51      点击:

  新一代SiC和GaN功率半导体竞赛剧烈

  与现在的Si功率半导体比较,SiC及GaN等新一代功率半导体有望运用逆变器和变流器等大幅进步功率并减小尺度。2013年选用SiC功率元件和GaN功率元件的案例逐步添加,一起各企业也环绕这些元件打开了剧烈的开发竞赛。

  SiC功率半导体方面,在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加快。曾经推出的SiCMOSFET只要平面型,没有推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只要平面型的几分之一,因而可以进一步下降损耗。导通电阻下降后,选用比平面型更小的芯片面积即可取得相同载流量。也就是说,可以减少本钱。

  因为沟道型MOSFET具有以上特色,日本参半导体厂商将其视作可充分发挥SiC优势的晶体管榜首候选,正式开端进行研究开发。这一意向在2013年9月29日~10月4日举办的SiC相关世界学会ICSCRM2013上得到了充分体现。璨圆董事长简奉任:台湾LED自救 被逼“与狼共舞”,在此次会议上,各企业纷繁宣告了沟道型SiCMOSFET的最新开发效果。比方罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其间,罗姆在有用化方面好像走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的双沟道型SiCMOSFET。LED到底有多“能”

  SiC备受轿车行业的等待。比方,电装正在自主研制SiC基板和功率元件。当然,该公司也在开发沟道型MOSFET,并宣告将于2015年推出产品(参看本站报导)。

  日本各大企业纷繁打开GaN功率元件事务

  GaN功率元件方面,日本各大企业相继发布了新产品,还有不少企业宣告进入功率元件事务。其间,改动较大的是耐压600V的GaN功率晶体管(参看本站报导)。耐压600V的功率晶体管可以应用于空调、电磁炉等白色家电,混合动力轿车和纯电动轿车的逆变器,光伏逆变器及工业设备等输出功率在数百~数万W的功率转换器。

  曾经,尊龙人生就是搏新一代SiCGaN功率晶体管的耐压大都在200V以下,耐压600V的产品到达有用水平的只要美国Transphorm公司一家。尊龙人生就是博进入2013年,松下和夏普宣告进入GaN功率元件事务,前者于2013年3月开端样品供货耐压600V的产品,后者于2013年4月开端样品供货耐压600V的产品。此外,世界整流器公司(IR)公司及EPC公司也在为完成耐压600V产品的有用化而进行研制。

  富士通半导体也已开端样品供货GaN功率晶体管,该公司于2013年11月与Transphorm公司签订了兼并GaN功率器材事务的协议。两边的事务兼并后,将由Transphorm开发GaN功率器材,由富士通半导体制作。

  亚洲企业也纷繁进入

  前面说到的企业只不过是其间一小部分,尊龙人生就是搏,别的还有许多企业着手研制GaN功率元件,预备打开相关事务。往后在从事GaN功率元件的半导体厂商之间,估量会打开剧烈的价格竞赛。

  尤其是韩国、中国大陆和台湾等亚洲半导体厂商全面进入GaN功率元件事务之后,价格竞赛将更为剧烈。尊龙人生就是博LED冰灯炫冰城。GaN功率半导体的出产可以沿袭曩昔出产逻辑IC等产品运用的支撑6~8英寸Si基板的出产设备以及面向LED引入的GaN类半导体外延设备等,这将推进亚洲企业涌进该商场。和GaN功率半导体竞赛剧烈

  实际上,在2013年5月举办的功率半导体相关世界会议ISPSD2013上,中国大陆、台湾、韩国等亚洲企业纷繁发布了GaN功率元件方面的研究效果。其间,三星电子的效果备受重视。该公司已在口径200mm(8英寸)的Si基板上试制出了GaN功率晶体管。

  三星电子最近在致力于功率半导体范畴的研制。该公司于1998年将功率IC部分卖了飞兆半导体,但在2年前又成立了功率半导体部分。

  不仅是GaN功率半导体范畴,在SiC功率半导体范畴,日本以外的亚洲企业的实力也在逐步增强。实际上,预备出产SiC基板和二极管的企业越来越多,体现尤为杰出的是SiC基板范畴。

  比方,在前面说到的ICSCRM2013上,北京天科合达蓝光半导体有限公司、山东天岳先进资料科技有限公司及韩国SKC公司均宣告在开发口径150mm(6英寸)的SiC基板。就在几年前,亚洲企业中进入该范畴的只要北京天科合达蓝光这一家,现在局势现已改动。

  2014年,在功率半导体范畴也要重视亚洲企业的意向。